FDG6316P - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDG6316P
Hersteller Teil #: FDG6316P
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount
Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time  
10 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins  
6
Weight  
28mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
700mA
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
8 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2001
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
6
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
270MOhm
Voltage - Rated DC  
-12V
Max Power Dissipation  
300mW
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
-700mA
Element Configuration  
Dual
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300mW
Turn On Delay Time  
5 ns
FET Type  
2 P-Channel (Dual)
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
270m Ω @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
146pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
2.4nC @ 4.5V
Rise Time  
13ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
12V
Fall Time (Typ)  
13 ns
Continuous Drain Current (ID)  
-700mA
Threshold Voltage  
-600mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
8V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
0.7A
Drain to Source Breakdown Voltage  
-12V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
FET Feature  
Logic Level Gate
Height  
1.1mm
Length  
2mm
Width  
1.25mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDG6316P 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount
Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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